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APTM100A46FT1G

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Artikelnummer
APTM100A46FT1G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTM100A46FT1G.pdf
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Artikelnummer
APTM100A46FT1G
Hersteller
Microsemi
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
552 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6800pF @ 25V
Leistung max
357W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
SP1
Supplier Device Package
SP1

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