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STGW10M65DF2

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Artikelnummer
STGW10M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STGW10M65DF2.pdf
Gesamt:$1.86000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.86000

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Artikelnummer
STGW10M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
40A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Leistung max
115W
Energie wechseln
120µJ (on), 270µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
19ns/91ns
Testbedingung
400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
96ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-247-3
Supplier Device Package
TO-247

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