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IXTA1N100P

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Artikelnummer
IXTA1N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXTA1N100P.pdf
Gesamt:$1.57500
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.57500

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Artikelnummer
IXTA1N100P
Hersteller
IXYS Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
331pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (IXTA)
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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