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RF1005TF6S

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Artikelnummer
RF1005TF6S
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RF1005TF6S.pdf
Gesamt:$1.48000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.48000

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Artikelnummer
RF1005TF6S
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Teilestatus
Not For New Designs
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
40ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-220-2 Full Pack
Supplier Device Package
TO-220NFM
Betriebstemperatur - Übergang
150°C (Max)

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