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SIHFB11N50A-E3

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Artikelnummer
SIHFB11N50A-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIHFB11N50A-E3.pdf
Gesamt:$1.76638
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$1.76638

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Artikelnummer
SIHFB11N50A-E3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
520 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1423pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Paket / fall
TO-220-3

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