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SI4485DY-T1-GE3

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Artikelnummer
SI4485DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SI4485DY-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.27120
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Artikelnummer
SI4485DY-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
590pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SO
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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