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Zuhause Produkte Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln BS108G

BS108G

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Artikelnummer
BS108G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)		 1Stck
$0.00000

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Artikelnummer
BS108G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
250mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2V, 2.8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 100mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-92-3
Paket / fall
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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