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AOI2N60

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Artikelnummer
AOI2N60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
AOI2N60.pdf
Gesamt:$0.28968
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Artikelnummer
AOI2N60
Hersteller
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
56.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251A
Paket / fall
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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