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BSM10GD120DN2E3224BOSA1

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Artikelnummer
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$56.91000
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(In US-Dollar)
1Stck
$56.91000

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Artikelnummer
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Teilestatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
-
Aufbau
Full Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
15A
Leistung max
80W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
3.2V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
400µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
530pF @ 25V
Eingang
Standard
NTC-Thermistor
No
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Module
Supplier Device Package
Module

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