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STFU6N65

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Artikelnummer
STFU6N65
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 650 V 1.2 OHM TYP. 4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$1.82000
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(In US-Dollar)
1Stck
$1.82000

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Artikelnummer
STFU6N65
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 650 V 1.2 OHM TYP. 4
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
463pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
620mW (Ta), 77W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TA)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FP
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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