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RSS085N05FU6TB

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Artikelnummer
RSS085N05FU6TB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Artikelnummer
RSS085N05FU6TB
Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
45V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
8.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
21.4nC @ 5V
Vgs (Max)
20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1500pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
8-SOP
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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