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SIA477EDJ-T1-GE3

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Artikelnummer
SIA477EDJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIA477EDJ-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.19855
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.19855

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Artikelnummer
SIA477EDJ-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 8V
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
2970pF @ 6V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / fall
PowerPAK® SC-70-6

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