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EPC2100ENGRT

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Artikelnummer
EPC2100ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
EPC2100ENGRT.pdf
Gesamt:$4.71200
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$4.71200

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Artikelnummer
EPC2100ENGRT
Hersteller
EPC
Beschreibung
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Ta), 40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 25A, 5V, 2.1 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Leistung max
-
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
Die
Supplier Device Package
Die

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