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PMT200EN,115

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Artikelnummer
PMT200EN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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$0.00000

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Artikelnummer
PMT200EN,115
Hersteller
NXP Semiconductors
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
475pF @ 80V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-223
Paket / fall
TO-261-4, TO-261AA

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