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TPMR10J S1G

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Artikelnummer
TPMR10J S1G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TPMR10J S1G.pdf
Gesamt:$0.35344
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.35344

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Artikelnummer
TPMR10J S1G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 10A TO277A
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
1.8V @ 10A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
40ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
140pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-277, 3-PowerDFN
Supplier Device Package
TO-277A (SMPC)
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 175°C

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