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BSO615NGHUMA1

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Artikelnummer
BSO615NGHUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
BSO615NGHUMA1.pdf
Gesamt:$0.44583
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.44583

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Artikelnummer
BSO615NGHUMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 25V
Leistung max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
PG-DSO-8

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