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TPC6008-H(TE85L,FM

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Artikelnummer
TPC6008-H(TE85L,FM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Bleifreier Status / RoHS-Status
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Artikelnummer
TPC6008-H(TE85L,FM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
5.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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