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RFD14N05L

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Artikelnummer
RFD14N05L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RFD14N05L.pdf
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(In US-Dollar)
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$0.91000

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Artikelnummer
RFD14N05L
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
14A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 14A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
I-PAK
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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