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NP180N04TUJ-E1-AY

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Artikelnummer
NP180N04TUJ-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NP180N04TUJ-E1-AY.pdf
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Artikelnummer
NP180N04TUJ-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 180A TO-263-7
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
180A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
14250pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263-7
Paket / fall
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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