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W979H2KBVX2E

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Artikelnummer
W979H2KBVX2E
Hersteller
Winbond Electronics
Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
W979H2KBVX2E.pdf
Gesamt:$3.99542
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$3.99542

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Artikelnummer
W979H2KBVX2E
Hersteller
Winbond Electronics
Beschreibung
IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Teilestatus
Active
Speichertyp
Volatile
Speicherformat
DRAM
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße
512Mb (16M x 32)
Taktfrequenz
400MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
Zugriffszeit
-
Speicherschnittstelle
Parallel
Spannungsversorgung
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
134-VFBGA
Supplier Device Package
134-VFBGA (10x11.5)

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