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NHPD660T4G

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Artikelnummer
NHPD660T4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$0.37450
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.37450

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Artikelnummer
NHPD660T4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Teilestatus
Active
Diodentyp
Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
600V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
6A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
3V @ 6A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
30µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device Package
DPAK
Betriebstemperatur - Übergang
-65°C ~ 175°C

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