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MBR40035CTRL

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Artikelnummer
MBR40035CTRL
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
MBR40035CTRL.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
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Artikelnummer
MBR40035CTRL
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER
Teilestatus
Obsolete
Diodenkonfiguration
1 Pair Common Anode
Diodentyp
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
35V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
600mV @ 200A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
3mA @ 35V
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 150°C
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket / fall
Twin Tower
Supplier Device Package
Twin Tower

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