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TSM126CX RFG

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Artikelnummer
TSM126CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM126CX RFG.pdf
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Artikelnummer
TSM126CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
30mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800 Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 8µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.18nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
51.42pF @ 25V
FET-Funktion
Depletion Mode
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23
Paket / fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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