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2SK3816-DL-1E

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Artikelnummer
2SK3816-DL-1E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 40A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
2SK3816-DL-1E.pdf
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Artikelnummer
2SK3816-DL-1E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 40A
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1780pF @ 20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.65W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263-2
Paket / fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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