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TK040N65Z,S1F

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Artikelnummer
TK040N65Z,S1F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$11.00000
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(In US-Dollar)
1Stck
$11.00000

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Artikelnummer
TK040N65Z,S1F
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
57A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 2.85mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
6250pF @ 300V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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