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SIDR140DP-T1-GE3

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Artikelnummer
SIDR140DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIDR140DP-T1-GE3.pdf
Gesamt:$1.26245
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(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SIDR140DP-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
79A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
8150pF @ 10V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8DC
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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