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GA05JT01-46

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Artikelnummer
GA05JT01-46
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 100V 9A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
GA05JT01-46.pdf
Gesamt:$56.23000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$56.23000

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Artikelnummer
GA05JT01-46
Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Beschreibung
TRANS SJT 100V 9A
Teilestatus
Active
FET-Typ
-
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 5A
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
20W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 225°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-46
Paket / fall
TO-46-3

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