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IRF2805LPBF

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Artikelnummer
IRF2805LPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 135A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF2805LPBF.pdf
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Artikelnummer
IRF2805LPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 135A TO-262
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
135A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.7 mOhm @ 104A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
230nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5110pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Paket / fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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