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DMN62D0LFB-7

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Artikelnummer
DMN62D0LFB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN62D0LFB-7.pdf
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Artikelnummer
DMN62D0LFB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V X2-DFN1006-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.45nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
32pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
470mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
3-X1DFN1006
Paket / fall
3-UFDFN

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