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FDG6301N-F085P

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Artikelnummer
FDG6301N-F085P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Artikelnummer
FDG6301N-F085P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
220mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
9.5pF @ 10V
Leistung max
300mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
SC-70-6

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