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NDF04N60ZH

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Artikelnummer
NDF04N60ZH
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
NDF04N60ZH.pdf
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Artikelnummer
NDF04N60ZH
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
Teilestatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
640pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220FP
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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