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DMN2600UFB-7

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Artikelnummer
DMN2600UFB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN2600UFB-7.pdf
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Artikelnummer
DMN2600UFB-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.85nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
70.13pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
540mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
3-DFN1006 (1.0x0.6)
Paket / fall
3-UFDFN

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