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IXDN602SI

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Artikelnummer
IXDN602SI
Hersteller
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXDN602SI.pdf
Gesamt:$2.14000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.14000

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Artikelnummer
IXDN602SI
Hersteller
IXYS Integrated Circuits Division
Beschreibung
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Teilestatus
Active
Angetriebene Konfiguration
Low-Side
Kanaltyp
Independent
Anzahl der Treiber
2
Gate-Typ
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannungsversorgung
4.5V ~ 35V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)
2A, 2A
Eingabetyp
Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap)
-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)
7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Supplier Device Package
8-SOIC-EP

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