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IRFUC20PBF

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Artikelnummer
IRFUC20PBF
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFUC20PBF.pdf
Gesamt:$1.68000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.68000

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Artikelnummer
IRFUC20PBF
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251AA
Paket / fall
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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