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DMN3032LFDBQ-7

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Artikelnummer
DMN3032LFDBQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMN3032LFDBQ-7.pdf
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Artikelnummer
DMN3032LFDBQ-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A U-DFN2020
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
500pF @ 15V
Leistung max
1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
6-UDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
U-DFN2020-6 (Type B)

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