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SIA907EDJT-T1-GE3

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Artikelnummer
SIA907EDJT-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIA907EDJT-T1-GE3.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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Artikelnummer
SIA907EDJT-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
-
Leistung max
7.8W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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