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FGA60N65SMD

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Artikelnummer
FGA60N65SMD
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FGA60N65SMD.pdf
Gesamt:$4.63000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$4.63000

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Artikelnummer
FGA60N65SMD
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 650V 120A 600W TO3P
Teilestatus
Active
IGBT-Typ
Field Stop
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)
650V
Stromabnehmer (Ic) (max.)
120A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)
180A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 60A
Leistung max
600W
Energie wechseln
1.54mJ (on), 450µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Charge
189nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
18ns/104ns
Testbedingung
400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)
47ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
TO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device Package
TO-3P

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