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SIB912DK-T1-GE3

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Artikelnummer
SIB912DK-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIB912DK-T1-GE3.pdf
Gesamt:$0.19855
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$0.19855

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Artikelnummer
SIB912DK-T1-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
95pF @ 10V
Leistung max
3.1W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
PowerPAK® SC-75-6L Dual
Supplier Device Package
PowerPAK® SC-75-6L Dual

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