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TK11A65W,S5X

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Artikelnummer
TK11A65W,S5X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$2.06000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$2.06000

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Artikelnummer
TK11A65W,S5X
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
890pF @ 300V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220SIS
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack

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