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STP11N60DM2

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Artikelnummer
STP11N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
STP11N60DM2.pdf
Gesamt:$1.81000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.81000

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Artikelnummer
STP11N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
N-CHANNEL 600 V 0.26 OHM TYP.
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
614pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Paket / fall
TO-220-3

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