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FDD6690A

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Artikelnummer
FDD6690A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
FDD6690A.pdf
Gesamt:$0.51667
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(In US-Dollar)
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$0.51667

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Artikelnummer
FDD6690A
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
12A (Ta), 46A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1230pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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