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DMT6009LFG-13

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Artikelnummer
DMT6009LFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DMT6009LFG-13.pdf
Gesamt:$0.52200
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.52200

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Artikelnummer
DMT6009LFG-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
11A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
33.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1925pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerDI3333-8
Paket / fall
8-PowerWDFN

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