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SIR626LDP-T1-RE3

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Artikelnummer
SIR626LDP-T1-RE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SIR626LDP-T1-RE3.pdf
Gesamt:$0.91930
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Artikelnummer
SIR626LDP-T1-RE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
45.6A (Ta), 186A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 30V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Paket / fall
PowerPAK® SO-8

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