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TSM60N900CI C0G

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Artikelnummer
TSM60N900CI C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM60N900CI C0G.pdf
Gesamt:$1.57000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
1Stck
$1.57000

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Artikelnummer
TSM60N900CI C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220
Teilestatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.7nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
ITO-220AB
Paket / fall
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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