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TK20N60W5,S1VF

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Artikelnummer
TK20N60W5,S1VF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Gesamt:$3.59000
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(In US-Dollar)
1Stck
$3.59000

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Artikelnummer
TK20N60W5,S1VF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 300V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
165W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247
Paket / fall
TO-247-3

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