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ZXMC3AM832TA

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Artikelnummer
ZXMC3AM832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXMC3AM832TA.pdf
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.69000

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Artikelnummer
ZXMC3AM832TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP
Teilestatus
Active
FET-Typ
N and P-Channel
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 25V
Leistung max
1.7W
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / fall
8-VDFN Exposed Pad
Supplier Device Package
8-MLP (3x3)

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