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TSM60NB190CZ C0G

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Artikelnummer
TSM60NB190CZ C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
TSM60NB190CZ C0G.pdf
Gesamt:$2.78000
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$2.78000

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Artikelnummer
TSM60NB190CZ C0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1273pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
33.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220
Paket / fall
TO-220-3

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