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ZXM62P02E6TA

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Artikelnummer
ZXM62P02E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
ZXM62P02E6TA.pdf
Gesamt:$0.34105
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Erfrischungspreis
(In US-Dollar)
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$0.34105

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Artikelnummer
ZXM62P02E6TA
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Teilestatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
2.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
320pF @ 15V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
SOT-23-6
Paket / fall
SOT-23-6

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