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1N5821 R0G

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Artikelnummer
1N5821 R0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
1N5821 R0G.pdf
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Artikelnummer
1N5821 R0G
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
Teilestatus
Active
Diodentyp
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
30V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If
500mV @ 3A
Geschwindigkeit
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr
500µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F
200pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart
Through Hole
Paket / fall
DO-201AD, Axial
Supplier Device Package
DO-201AD
Betriebstemperatur - Übergang
-55°C ~ 125°C

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