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SUD90330E-GE3

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Artikelnummer
SUD90330E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SUD90330E-GE3.pdf
Gesamt:$0.74620
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Erfrischungspreis
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$0.74620

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Artikelnummer
SUD90330E-GE3
Hersteller
Vishay
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Teilestatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C
35.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
1172pF @ 100V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-252AA
Paket / fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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